TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote TSM160N10CZ C0G nach Preis ab 1.71 EUR bis 6.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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TSM160N10CZ C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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TSM160N10CZ C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V |
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TSM160N10CZ C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
N Channel Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM160N10CZ C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 100V 160A Single N-C hannel Power MOSFET |
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