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TSM160N10CZ C0G

TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor

tsm160n10_c15.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V.

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TSM160N10CZ C0G TSM160N10CZ C0G Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm160n10_c15.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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TSM160N10CZ C0G TSM160N10CZ C0G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V
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