TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
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| 9000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Weitere Produktangebote TSM2314CX RFG nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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TSM2314CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V |
auf Bestellung 29363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 25896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
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| TSM2314CX RFG | Hersteller : TAI-SEM |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| TSM2314CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 20V 4.9A Single N-Ch annel Power MOSFET |
auf Bestellung 12894 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
N Channel Power MOSFET |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TSM2314CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
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