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TSM2314CX RFG

TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2314_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Weitere Produktangebote TSM2314CX RFG nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314_E15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
109+0.79 EUR
154+0.56 EUR
177+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2314_E15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
auf Bestellung 32378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001063850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 14611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
153+1.52 EUR
170+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001063850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 14611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
153+1.52 EUR
170+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2314_E15.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 186 Stücke:
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
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TSM2314CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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TSM2314CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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153+1.52 EUR
170+1.26 EUR
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TSM2314CX RFG TSM2314_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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