USB50803C-AE3/TR7 Microchip Technology
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Technische Details USB50803C-AE3/TR7 Microchip Technology
Category: Transil diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 4V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Type of diode: TVS array, Breakdown voltage: 4V, Max. forward impulse current: 5A, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Semiconductor structure: bidirectional, Mounting: SMD, Case: SO8, Max. off-state voltage: 3.3V, Leakage current: 0.2mA, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
Weitere Produktangebote USB50803C-AE3/TR7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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USB50803C-AE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transil diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 4V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 4V Max. forward impulse current: 5A Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional Mounting: SMD Case: SO8 Max. off-state voltage: 3.3V Leakage current: 0.2mA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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| USB50803C-AE3/TR7 | Hersteller : MICROSEMI |
SOIC 8/TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR USB50803 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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USB50803C-AE3/TR7 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 3.3V 11V 8SO |
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| USB50803C-AE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes Diode Array |
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USB50803C-AE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 4V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 4V Max. forward impulse current: 5A Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional Mounting: SMD Case: SO8 Max. off-state voltage: 3.3V Leakage current: 0.2mA Kind of package: reel; tape |
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