USB50824C-AE3/TR7 Microchip Technology
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 500+ | 5.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details USB50824C-AE3/TR7 Microchip Technology
Category: Transil diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Case: SO8, Max. off-state voltage: 24V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 5A, Breakdown voltage: 26.7V, Leakage current: 1µA, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
Weitere Produktangebote USB50824C-AE3/TR7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
USB50824C-AE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 57Vc 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
USB50824C-Ae3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: SO8 Max. off-state voltage: 24V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 26.7V Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
USB50824C-Ae3/TR7 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 24V 57V 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| USB50824C-Ae3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
USB50824C-Ae3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 26.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: SO8 Max. off-state voltage: 24V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 26.7V Leakage current: 1µA |
Produkt ist nicht verfügbar |