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VS-30ETH06-M3

VS-30ETH06-M3 Vishay


vs-30eth06-m3.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details VS-30ETH06-M3 Vishay

Description: VISHAY - VS-30ETH06-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach, 2.6 V, 35 ns, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 200, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.6, Sperrverzögerungszeit: 35, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay vs-30eth06-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay vs-30eth06-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : VISHAY vs-30eth06-m3.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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27+ 2.72 EUR
32+ 2.26 EUR
34+ 2.13 EUR
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : VISHAY vs-30eth06-m3.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO220AC; 77ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 33pF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 0.5mA
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Reverse recovery time: 77ns
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-30eth06-m3.pdf Rectifiers 600V 30A TO-220 Fred Pt
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay vs-30eth06-m3.pdf Rectifier Diode Switching 600V 30A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay/IR vs-30eth06-m3.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 600; Io, А = 30; Uf (max), В = 2,6; If, A = 30; I, мкА @ Ur, В = 50 @ 600; trr, нс = 35; Тексп, °C = -65...+175; TO-220AC
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VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay/IR vs-30eth06-m3.pdf Hyperfast 30A 600V TO-220AC
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay vs-30eth06-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : VISHAY 2631438.pdf Description: VISHAY - VS-30ETH06-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach, 2.6 V, 35 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.6
Sperrverzögerungszeit: 35
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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VS-30ETH06-M3 VS-30ETH06-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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