VS-RA160FA120

VS-RA160FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-ra160fa120.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 1200V 91A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 91A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
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Technische Details VS-RA160FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE MODULE GP 1200V 91A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 91A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V.

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