YJH03N10A

YJH03N10A Yangjie Technology


Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
20000+0.13 EUR
40000+0.12 EUR
100000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details YJH03N10A Yangjie Technology

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Case: SOT89, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 0.12Ω, Power dissipation: 4W, Gate charge: 16nC, Technology: TRENCH POWER MV, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 12A.

Weitere Produktangebote YJH03N10A nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
YJH03N10A YJH03N10A Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF8B38FBB478BF&compId=YJH03N10A.pdf?ci_sign=11dd79c439e7bd288c2933cc59edfa9fb413cf8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 4W
Gate charge: 16nC
Technology: TRENCH POWER MV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
auf Bestellung 9185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
410+0.18 EUR
585+0.12 EUR
820+0.087 EUR
870+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH