A1F25M12W2-F1 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 1 power module, fourpack topology, 1200 V, 25 mOhm typ. SiC MOSFET NTC
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 363.15 EUR |
| 10+ | 340.13 EUR |
| 18+ | 329.18 EUR |
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Technische Details A1F25M12W2-F1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK 1, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote A1F25M12W2-F1 nach Preis ab 411.73 EUR bis 481.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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A1F25M12W2-F1 | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: ACEPACK 1 Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| A1F25M12W2-F1 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 1
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - A1F25M12W2-F1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 1
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 1+ | 481.06 EUR |
| 5+ | 411.73 EUR |