AFGB30T65SQDN onsemi
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT 650V FS4 High speed version for OBC application in D2PAK 650V, 30A, D2PAK
IGBT Transistors IGBT 650V FS4 High speed version for OBC application in D2PAK 650V, 30A, D2PAK
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Technische Details AFGB30T65SQDN onsemi
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 245 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3), Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 220 W.
Weitere Produktangebote AFGB30T65SQDN
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AFGB30T65SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
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AFGB30T65SQDN | Hersteller : ON Semiconductor | 650 V 30 A IGBT Chip Transistor |
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AFGB30T65SQDN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGB30T65SQDN - IGBT, 60 A, 1.6 V, 220 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFGB30T65SQDN | Hersteller : onsemi |
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 245 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3) Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 220 W |
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AFGB30T65SQDN | Hersteller : onsemi |
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 245 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3) Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 220 W |
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