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AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN onsemi

AFGB40T65SQDN-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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Technische Details AFGB40T65SQDN onsemi

Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 238W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote AFGB40T65SQDN nach Preis ab 4.28 EUR bis 9.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN onsemi AFGB40T65SQDN-D.PDF Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
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10+6.65 EUR
100+4.8 EUR
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AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN onsemi AFGB40T65SQDN-D.PDF IGBTs 650V/40A FS4 IGBT
auf Bestellung 908 Stücke:
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1+9.94 EUR
10+6.67 EUR
100+4.82 EUR
500+4.28 EUR
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AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AFGB40T65SQDN
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
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Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
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Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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