Produkte > ONSEMI > AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN onsemi


AFGB40T65SQDN-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AFGB40T65SQDN onsemi

Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 238W, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote AFGB40T65SQDN nach Preis ab 4.63 EUR bis 12.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.52 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN onsemi AFGB40T65SQDN-D.PDF Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN onsemi AFGB40T65SQDN-D.PDF IGBTs 650V/40A FS4 IGBT
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.83 EUR
10+7.94 EUR
100+5.74 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.7 EUR
28+8.31 EUR
100+5.52 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN 2711337.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.52 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 131 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns
Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.79 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN-D.PDF
Hersteller: onsemi
IGBTs 650V/40A FS4 IGBT
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.83 EUR
10+7.94 EUR
100+5.74 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGB40T65SQDN 2711337.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.7 EUR
28+8.31 EUR
100+5.52 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH