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AFGBP40T120SWD

AFGBP40T120SWD onsemi

afgbp40t120swd-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: FS7 1200V 40A NSCR IGBT BPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: T2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/258ns
Switching Energy: 5.34mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 800V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 681 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 786 Stücke:
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Technische Details AFGBP40T120SWD onsemi

Description: FS7 1200V 40A NSCR IGBT BPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 330 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: T2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 48ns/258ns, Switching Energy: 5.34mJ (on), 3mJ (off), Test Condition: 800V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 681 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AFGBP40T120SWD AFGBP40T120SWD ONSEMI 4758642.pdf Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.33V
Verlustleistung: 681W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: BPAK
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.11 EUR
17+14.2 EUR
21+10.66 EUR
50+10.45 EUR
100+10.23 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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AFGBP40T120SWD AFGBP40T120SWD ONSEMI 4758642.pdf Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
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17+14.2 EUR
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AFGBP40T120SWD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
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Bauform - Transistor: BPAK
Dauerkollektorstrom: 80A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
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AFGBP40T120SWD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGBP40T120SWD - IGBT, 80 A, 1.33 V, 681 W, 1.2 kV, BPAK, 7 Pin(s)
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14+18.11 EUR
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21+10.66 EUR
50+10.45 EUR
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