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AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD onsemi

AFGHL50T65SQD-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.69 EUR
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Technische Details AFGHL50T65SQD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD onsemi AFGHL50T65SQD-D.PDF IGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.73 EUR
10+6.7 EUR
120+5.57 EUR
510+5.37 EUR
1020+4.88 EUR
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AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD ONSEMI 3005707.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGHL50T65SQD ON Semiconductor AFGHL50T65SQD-D.PDF
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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