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AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC onsemi

AFGHL50T65SQDC-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
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Technische Details AFGHL50T65SQDC onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC onsemi AFGHL50T65SQDC-D.PDF IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
auf Bestellung 874 Stücke:
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC ONSEMI 2850016.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AFGHL50T65SQDC ON Semiconductor AFGHL50T65SQDC-D.PDF
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IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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