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Technische Details AFGHL50T65SQDC onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote AFGHL50T65SQDC nach Preis ab 8.55 EUR bis 17.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AFGHL50T65SQDC | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 238 W Qualification: AEC-Q101 |
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AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AFGHL50T65SQDC | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 119W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 94nC |
Produkt ist nicht verfügbar |