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AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC onsemi

afghl50t65sqdc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16650 Stücke:
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Anzahl Preis
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30+10.62 EUR
120+9.07 EUR
510+8.55 EUR
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Technische Details AFGHL50T65SQDC onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Hersteller : ONSEMI 2850016.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Hersteller : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Hersteller : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Hersteller : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Hersteller : onsemi AFGHL50T65SQDC-D.PDF IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
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AFGHL50T65SQDC Hersteller : ONSEMI afghl50t65sqdc-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
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