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Technische Details AFGY100T65SPD onsemi
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBTChip N-CH 650V 120A 660W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFGY100T65SPD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 660 W |
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