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AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD onsemi


afgy100t65spd-d.pdf Hersteller: onsemi
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
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Technische Details AFGY100T65SPD onsemi

Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Hersteller : ONSEMI 3168451.pdf Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Hersteller : ON Semiconductor afgy100t65spd-d.pdf Trans IGBTChip N-CH 650V 120A 660W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AFGY100T65SPD Hersteller : ON Semiconductor afgy100t65spd-d.pdf
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AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Hersteller : onsemi afgy100t65spd-d.pdf Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
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