AFGY100T65SPD onsemi
Hersteller: onsemiIGBT Transistors IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application IGBT - 650 V 100 A FS3
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Technische Details AFGY100T65SPD onsemi
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| AFGY100T65SPD | Hersteller : ON Semiconductor |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 660 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 100 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 650V, 120A, To-247, AEC-Q101, 1.6Vsat Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 660 Anzahl der Pins: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFGY100T65SPD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 660 W |
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