Produkte > ONSEMI > AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD onsemi


afgy100t65spd-d.pdf
Hersteller: onsemi
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.79 EUR
10+14.35 EUR
120+12.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AFGY100T65SPD onsemi

Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.

Weitere Produktangebote AFGY100T65SPD nach Preis ab 13.44 EUR bis 27.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD ONSEMI 3168451.pdf Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.87 EUR
12+20.74 EUR
15+14.41 EUR
50+14.09 EUR
100+13.76 EUR
250+13.44 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AFGY100T65SPD 3168451.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+27.87 EUR
12+20.74 EUR
15+14.41 EUR
50+14.09 EUR
100+13.76 EUR
250+13.44 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH