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AG047FLS4FRATCB

AG047FLS4FRATCB ROHM

4628392.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG047FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0093 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
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Technische Details AG047FLS4FRATCB ROHM

Description: ROHM - AG047FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0093 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG047FLS4FRATCB AG047FLS4FRATCB ROHM Semiconductor datasheet?p=AG047FLS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.
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AG047FLS4FRATCB AG047FLS4FRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=AG047FLS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 268µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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10+3 EUR
50+2.28 EUR
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AG047FLS4FRATCB AG047FLS4FRATCB ROHM 4628392.pdf Description: ROHM - AG047FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0093 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 89A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
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AG047FLS4FRATCB datasheet?p=AG047FLS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
AG047FLS4FRATCB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.
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AG047FLS4FRATCB datasheet?p=AG047FLS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
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Description: NCH 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, POW
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 268µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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AG047FLS4FRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG047FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0093 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
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