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AG050FPS4FRATCB

AG050FPS4FRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=AG050FPS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details AG050FPS4FRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AG050FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0055 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm.

Weitere Produktangebote AG050FPS4FRATCB nach Preis ab 2.63 EUR bis 8.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG050FPS4FRATCB AG050FPS4FRATCB ROHM 4628393.pdf Description: ROHM - AG050FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0055 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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AG050FPS4FRATCB AG050FPS4FRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=AG050FPS4FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.86 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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AG050FPS4FRATCB AG050FPS4FRATCB ROHM 4628393.pdf Description: ROHM - AG050FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0055 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.7 EUR
46+5.06 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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AG050FPS4FRATCB 4628393.pdf
AG050FPS4FRATCB
Hersteller: ROHM
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AG050FPS4FRATCB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.5mA
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Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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AG050FPS4FRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG050FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0055 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
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29+8.7 EUR
46+5.06 EUR
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