AG084FGD3HRBTL ROHM Semiconductor
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.79 EUR |
| 10+ | 3.78 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2500+ | 1.95 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AG084FGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote AG084FGD3HRBTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AG084FGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
AG084FGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |