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AG091FLD3HRBTL ROHM


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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 495 Stücke:
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Technische Details AG091FLD3HRBTL ROHM

Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
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100+1.86 EUR
500+1.55 EUR
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AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL ROHM ag091fld3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AG091FLD3HRBTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
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AG091FLD3HRBTL ag091fld3hrbtl-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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