Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > AG091FLD3HRBTL
AG091FLD3HRBTL

AG091FLD3HRBTL ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
auf Bestellung 1971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AG091FLD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote AG091FLD3HRBTL

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Hersteller : ROHM ag091fld3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Hersteller : ROHM ag091fld3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH