| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.5 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 2500+ | 1.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AG091FLD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.
Weitere Produktangebote AG091FLD3HRBTL nach Preis ab 1.59 EUR bis 5.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG091FLD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
AG091FLD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| AG091FLD3HRBTL |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 50+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| AG091FLD3HRBTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: ROHM - AG091FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.84 EUR |
| 67+ | 3.47 EUR |
| 103+ | 2.08 EUR |