AG185FGD3HRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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Technische Details AG185FGD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AG185FGD3HRBTL nach Preis ab 1.49 EUR bis 6.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AG185FGD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AG185FGD3HRBTL | ROHM |
 Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG185FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AG185FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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| AG185FGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.9 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2500+ | 1.49 EUR |
| AG185FGD3HRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.5 EUR |
| 60+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| AG185FGD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| AG185FGD3HRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 4.25 EUR |
| 85+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |