AG185FGD3HRBTL ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.12 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.47 EUR |
| 2500+ | 1.25 EUR |
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Technische Details AG185FGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AG185FGD3HRBTL nach Preis ab 1.47 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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AG185FGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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AG185FGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| AG185FGD3HRBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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| AG185FGD3HRBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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