AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.01 EUR |
| 60+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
58 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm.
Weitere Produktangebote AG501EGD3HRBTL nach Preis ab 2.31 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AG501EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
AG501EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
AG501EGD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
AG501EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| AG501EGD3HRBTL |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 4.91 EUR |
| 50+ | 3.44 EUR |
| AG501EGD3HRBTL |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 4.91 EUR |
| 50+ | 3.37 EUR |
| AG501EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
| 2500+ | 2.31 EUR |
| AG501EGD3HRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.18 EUR |
| 47+ | 4.94 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |