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AG501EGD3HRBTL

AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL ROHM Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL ROHM ag501egd3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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