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AG502EGD3HRBTL

AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Technische Details AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG502EGD3HRBTL AG502EGD3HRBTL ROHM 4461446.pdf Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 68A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
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AG502EGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag502egd3hrbtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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AG502EGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag502egd3hrbtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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AG502EGD3HRBTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
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AG502EGD3HRBTL ag502egd3hrbtl-e.pdf
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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65+3.02 EUR
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200+1.3 EUR
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