AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.48 EUR |
| 10+ | 2.22 EUR |
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| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2500+ | 0.94 EUR |
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Technische Details AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote AG502EGD3HRBTL nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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AG502EGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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AG502EGD3HRBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm |
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| AG502EGD3HRBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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| AG502EGD3HRBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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