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AG502ELD3HRBTL

AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor

ag502eld3hrbtl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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Technische Details AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor ag502eld3hrbtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM 4461447.pdf Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
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AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM 4461447.pdf Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
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