AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.54 EUR |
| 30+ | 7.89 EUR |
| 100+ | 6.15 EUR |
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Technische Details AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote AIDK08S65C5ATMA1 nach Preis ab 5.11 EUR bis 12.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO263-2 Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE |
auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AIDK08S65C5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DISCRETE DIODES
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.54 EUR |
| 10+ | 11.26 EUR |
| 100+ | 9.22 EUR |
| AIDK08S65C5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.67 EUR |
| 10+ | 8 EUR |
| 100+ | 6.18 EUR |
| 500+ | 5.46 EUR |
| 1000+ | 5.18 EUR |
| 2000+ | 5.11 EUR |