AIDK10S65C5ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 7.92 EUR |
| 10+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 500+ | 4.15 EUR |
| 1000+ | 3.89 EUR |
| 2000+ | 3.66 EUR |
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Technische Details AIDK10S65C5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.1V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 33A Leakage current: 12µA Power dissipation: 53W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO263-2 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
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AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
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| AIDK10S65C5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.1V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 33A Leakage current: 12µA Power dissipation: 53W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO263-2 |
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