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AIGW50N65F5XKSA1

AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-AIGW50N65F5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d0800b8887f28
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23 Stücke:
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Technische Details AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns, Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 1018 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 270 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 175 Stücke:
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100+7.54 EUR
480+7.52 EUR
2640+7.39 EUR
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON 2718653.pdf Description: INFINEON - AIGW50N65F5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
19+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
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AnzahlPrivatkunde
1+13.34 EUR
10+10.34 EUR
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480+7.52 EUR
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AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIGW50N65F5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 31 Stücke:
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