AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 16.97 EUR |
| 10+ | 11.68 EUR |
| 100+ | 9.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 168W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AIMBG120R080M1XTMA1 nach Preis ab 10.74 EUR bis 19.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
AIMBG120R080M1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |