AIMBG75R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details AIMBG75R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AIMBG75R140M1HXTMA1 nach Preis ab 5.82 EUR bis 10.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AIMBG75R140M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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AIMBG75R140M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| AIMBG75R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| AIMBG75R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Cut Tape (CT) |
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| AIMBG75R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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