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AIMBG75R140M1HXTMA1

AIMBG75R140M1HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon_AIMBG75R140M1H_DataSheet_v02_01_EN-3387138.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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Technische Details AIMBG75R140M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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AIMBG75R140M1HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AIMBG75R140M1HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
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