AIMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 17.49 EUR |
| 10+ | 15.42 EUR |
| 25+ | 15 EUR |
| 50+ | 14.15 EUR |
| 100+ | 13.34 EUR |
| 250+ | 12.92 EUR |
| 500+ | 12.07 EUR |
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Technische Details AIMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote AIMDQ75R040M1HXUMA1 nach Preis ab 9.31 EUR bis 18.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBTPackaging: Cut Tape (CT) |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 47A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AIMDQ75R040M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |