AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 27.09 EUR |
| 100+ | 25.37 EUR |
| 500+ | 23.52 EUR |
| 1000+ | 21.72 EUR |
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Technische Details AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote AIMW120R045M1XKSA1 nach Preis ab 23.63 EUR bis 38.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +20V, -7V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 30.87 EUR |
| 10+ | 23.97 EUR |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 32.54 EUR |
| 10+ | 24.59 EUR |
| 100+ | 24.38 EUR |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 36.44 EUR |
| 10+ | 32.45 EUR |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 38.54 EUR |
| 30+ | 24.69 EUR |
| 120+ | 23.63 EUR |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)