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AIMZH120R020M1TXKSA1

AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies

infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

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AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZH120R020M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
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AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 INFINEON 4127456.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
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Produktpalette: CoolSiC Series
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