AIMZH120R040M1TXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
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Technische Details AIMZH120R040M1TXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 268W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote AIMZH120R040M1TXKSA1 nach Preis ab 13.6 EUR bis 33.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 268W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AIMZH120R040M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 23.28 EUR |
| 12+ | 14.48 EUR |
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.63 EUR |
| 10+ | 15.57 EUR |
| 100+ | 14.09 EUR |
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.12 EUR |
| 30+ | 15.85 EUR |
| 120+ | 13.6 EUR |
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 33.31 EUR |
| 9+ | 28.06 EUR |
| 10+ | 23.24 EUR |
| 50+ | 21.31 EUR |
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)