AIMZH120R160M1TXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.51 EUR |
| 10+ | 13.52 EUR |
| 25+ | 12.21 EUR |
| 100+ | 10.82 EUR |
| 240+ | 10.24 EUR |
| 480+ | 9.79 EUR |
| 1200+ | 9.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AIMZH120R160M1TXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote AIMZH120R160M1TXKSA1 nach Preis ab 13.24 EUR bis 19.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMZH120R160M1TXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SIC_DISCRETEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
AIMZH120R160M1TXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |