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ALD212900APAL

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Produktcode: 185779
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ALD212900APAL ALD212900APAL Hersteller : Advanced Linear Devices ALD212900.pdf MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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ALD212900APAL ALD212900APAL Hersteller : Advanced Linear Devices Inc. ALD212900.pdf Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA
Supplier Device Package: 8-PDIP
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