AMF12S54LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 47.54 EUR |
| 10+ | 34.58 EUR |
| 25+ | 29.1 EUR |
| 100+ | 28.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AMF12S54LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 138W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm.
Weitere Produktangebote AMF12S54LB2ZXKMA1 nach Preis ab 34.72 EUR bis 51.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AMF12S54LB2ZXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 138W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| AMF12S54LB2ZXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
Description: INFINEON - AMF12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 32 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 51.35 EUR |
| 10+ | 42.11 EUR |
| 50+ | 39.5 EUR |
| 100+ | 34.72 EUR |