AO3407A Alpha & Omega Semiconductor
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Technische Details AO3407A Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
auf Bestellung 4443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V |
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| AO3407A | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A UMW TAO3407a UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| AO3407A | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS AO3407A UMW TAO3407a UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| AO3407A | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Tranz P-MOSFET unipolarny -30V -4.3A 1.4W AO3407A Alpha & Omega Semiconductor TAO3407a Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| AO3407A | Hersteller : Alpha&Omega Semiconductor |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 830 @ 15; Qg, нКл = 16 @ 10 В; Rds = 48 мОм @ 4,3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
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AO3407 (Transistor) Produktcode: 61322
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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AO3407A | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 |
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AO3407A | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AO3407A | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement |
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