AOB66616L

AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor


aob66616l.pdf Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V.

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AOB66616L AOB66616L Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66616L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
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AOB66616L AOB66616L Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB42F6D0F820&compId=AOB66616L.pdf?ci_sign=6fd31e3f8b2ff0d5d2cf5f1b18bc52db7f601fb2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
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