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AOD2610E

AOD2610E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BC01EA555820&compId=AOD2610E.pdf?ci_sign=f64b0b68115451934eab5a926f9a8c4a0aaed2ca Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
172+0.42 EUR
225+0.32 EUR
237+0.3 EUR
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Technische Details AOD2610E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 59.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

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AOD2610E AOD2610E Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BC01EA555820&compId=AOD2610E.pdf?ci_sign=f64b0b68115451934eab5a926f9a8c4a0aaed2ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23.5W
Polarisation: unipolar
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Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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AOD2610E AOD2610E Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aoy2610e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
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AOD2610E AOD2610E Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2610E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
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AOD2610E AOD2610E Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2610E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 46A (Tc)
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