AOD66620 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Technische Details AOD66620 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: AlphaSGT™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 58A, Pulsed drain current: 125A, Power dissipation: 21W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
AOD66620 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod66620.pdf N Channel Trench Power MOSFET
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AOD66620 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod66620.pdf N Channel Trench Power MOSFET
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AOD66620 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
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