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AON6407

AON6407 Alpha & Omega

aon6407-datasheet.pdf
Produktcode: 127396
Hersteller: Alpha & Omega
Gehäuse: DFN5X6
Uds,V: 30 V
Id,A: 85 A
Rds(on),Om: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3505/75
/: SMD
auf Bestellung 162 Stück:
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6407.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
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183+0.75 EUR
184+0.72 EUR
208+0.62 EUR
264+0.47 EUR
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AON6407 AON6407 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229896A50&compId=AON6407-DTE.pdf?ci_sign=baa002717f449c39123c3fa502f44e28fecc4d4c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
93+0.78 EUR
115+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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AON6407 AON6407 Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229896A50&compId=AON6407-DTE.pdf?ci_sign=baa002717f449c39123c3fa502f44e28fecc4d4c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6407.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
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8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
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AON6407 Hersteller : ALPHA&OMEGA AON6407.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6407 TAON6407
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AON6407 AON6407 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aon6407.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 6036 Stück:
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100+0.09 EUR
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 16897 Stück
60 Stück - stock Köln
16837 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
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4,7uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A475KBQNNNE - Samsung)
Produktcode: 172259
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4,7uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A475KBQNNNE - Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2868 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 12200 Stück:
12000 Stück - erwartet 19.07.2025
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 12504 Stück
3774 Stück - stock Köln
8730 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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ES1J
Produktcode: 3349
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ES1 series.pdf
ES1J
Hersteller: YJ/TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 2421 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.07 EUR
100+0.062 EUR
1000+0.054 EUR
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