AOT10B60D

AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE789B6621720290745&compId=AOT10B60D.pdf?ci_sign=089869408acf1c9ad28b9e53adbcf5f745eac49e Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 17.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.26mJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
34+2.13 EUR
39+1.87 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
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Technische Details AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 17.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 163 W.

Weitere Produktangebote AOT10B60D nach Preis ab 1.49 EUR bis 2.58 EUR

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AOT10B60D AOT10B60D Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE789B6621720290745&compId=AOT10B60D.pdf?ci_sign=089869408acf1c9ad28b9e53adbcf5f745eac49e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 17.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.26mJ
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AOT10B60D Hersteller : ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;   AOT10B60D TAOT10b60d
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AOT10B60D AOT10B60D Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor 590aot10b60d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AOT10B60D AOT10B60D Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aot10b60d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AOT10B60D AOT10B60D Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220.pdf Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
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