AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


AOT412.pdf Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOT412 THT N channel transistors
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Technische Details AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AOT412 AOT412 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aot412.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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AOT412 AOT412 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aot412.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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AOT412 AOT412 Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT412.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
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