AOT430 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details AOT430 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote AOT430 nach Preis ab 2.17 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| AOT430 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| AOT430 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT430 Produktcode: 191510
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AOT430 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOT430 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOT430 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V |
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