AOT430
Produktcode: 191510
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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AOT430 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 78A Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 114nC Power dissipation: 134W |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT430 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT430 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT430 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 |
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