AOTF10B60D2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: TO220F
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 124ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Turn-on switching energy: 0.14mJ
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Technische Details AOTF10B60D2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 23A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 98 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220F, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns, Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V, Gate Charge: 9.4 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 31.2 W.

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