AOTF11N70 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
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Technische Details AOTF11N70 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote AOTF11N70 nach Preis ab 2.86 EUR bis 2.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| AOTF11N70 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
 Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| AOTF11N70 | Hersteller : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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AOTF11N70 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOTF11N70 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOTF11N70 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V |
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