AOU3N60 Alpha & Omega Semiconductor
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Technische Details AOU3N60 Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 1.6A, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 9.9nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AOU3N60 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AOU3N60 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3 |
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AOU3N60 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhanced |
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