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AOY2610E

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Produktcode: 198546
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Transistoren > MOSFET N-CH

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AOY2610E AOY2610E Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOY2610E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251B; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO251B
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23.5W
Drain current: 36.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
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AOY2610E Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY2610E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
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