APT1001RBVRG Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 21.33 EUR |
| 100+ | 18.41 EUR |
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Technische Details APT1001RBVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT1001RBVRG nach Preis ab 21.52 EUR bis 21.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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APT1001RBVRG | Hersteller : Microsemi |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT1001RBVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1001RBVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| APT1001RBVRG | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - MOS5 APT1001 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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APT1001RBVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V |
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APT1001RBVRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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