APT10050B2VFRG Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details APT10050B2VFRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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APT10050B2VFRG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10050B2VFRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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APT10050B2VFRG THT N channel transistors |
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| APT10050B2VFRG | Hersteller : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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APT10050B2VFRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
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